
Ultraschnelle Transistoren basieren auf schnellen Elektronen. Die hohe Beweglichkeit der Teilchen im stark gespannten Kern von Halbleiter-Nanodrähten lässt sich per Terahertz-Laser nachweisen. © Helmholtz-Zentrum
Ultraschnelle Transistoren basieren auf schnellen Elektronen. Die hohe Beweglichkeit der Teilchen im stark gespannten Kern von Halbleiter-Nanodrähten lässt sich per Terahertz-Laser nachweisen. © Helmholtz-Zentrum
Ann-Catrin Uhr-Müller vor dem Versuchsaufbau in Köln, der Thema ihrer Doktorarbeit ist. Die Flaschen an den Kabelenden sind mit zähflüssiger Masse gefüllt: Das ist ein Öl, mit dem die Isolierschicht bei den alten Papier-Masse-Kabeln getränkt ist. © Rhein Energie AG
Kein Kometenregen im Nachtblau, sondern vom Modell als relevant befundene Bildregionen (rot) in der Bainitphase. © Fraunhofer IWM
In elektronischen Geräten und auch in Autos wird immer mehr Elektronik auf kleinstem Raum untergebracht. Daher werden die Kabel sowie die Verbindungen und Stecker immer kleiner und eine manuelle Verarbeitung immer schwieriger. © fotolia
„Coax quattro“ ermöglicht erstmals die simultane Verarbeitung von Pulver und Draht in verschiedenen Kombinationen. Die Werkstoffe treffen im Laserfokus über der Bauteiloberfläche zusammen, wo der Laser das zugeführte Metall aufschmilzt. Direkt auf der Oberfläche entsteht die Beschichtung in-situ aus dem Pulver und den einzeln zugeführten Drähten. © IWS