Ultraschnelle Transistoren basieren auf schnellen Elektronen. Die hohe Beweglichkeit der Teilchen im stark gespannten Kern von Halbleiter-Nanodrähten lässt sich per Terahertz-Laser nachweisen. © Helmholtz-Zentrum
17.06.22 – Nanodrähte unter Zug bieten Basis für ultraschnelle Transistoren
Nanodrähte unter Zug bieten Basis für ultraschnelle Transistoren
Kleinere Chips, schnellere Rechner, weniger Energieverbrauch. Neue Konzepte auf der Basis von Halbleiter-Nanodrähten sollen Transistoren in mikroelektronischen ...